IT之家 2 月 24 日消息，據韓媒 SEDaily 在 IEEE ISSCC 2025 國際固態電路會議現場的采訪，三星電子在本次會議上公布了其 HBM 內存路線圖，分享了預設的性能參數目標：

在三星眼中，HBM4E 相較 HBM4 的兩大變化是引入 32Gb DRAM 裸片和將每引腳速率提升至 10Gbps：前者可在 16Hi 堆疊時將單堆棧容量擴展至 64GB，而後者意味著 HBM4E 的整體帶寬將達 HBM4 的 1.25 倍。

下遊應用方麵，HBM4E 內存有望被英偉達 2027 年推出的 Rubin Ultra AI GPU 采用。Rubin Ultra 支持 12 個 HBM4 (E) 堆棧，這意味著單加速器內存容量有望達到驚人的 768GB。